Свежий план по нанометрам

В "микроэлектронике" складывается интересная диспозиция - технологии производства чипов могут стать доступными не только "голландцам" с "китайцами".

Да, топов в этом секторе очень сложно догнать, но физичекую реальность суперкомпьютеры или чудовищные во всех смыслах кластеры с нейросетями пока не меняют.  Смотрим конечно за новостями по использованию в "материаловедении" или "химии", с "биогенетикой", но уж прям прорывов-прорывов пока не видно - публичных во всяком случае, т.е. там смежная проблематика не дает развернуться "виртуальному", соответственно есть еще запас времени и у тех у кого нет "супертехнологий" в этой сфере.

А вот перевод собственного "народного" хозяйства на "собственные" пускай и немного худшие или более дорогие, но _достаточные_ изделия это уже что то.

В этом контексте примечательно обновление плана по Отечественному. Смотрим на реакцию западоидов на него. https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/russia-outlines-euv-litho-chipmaking-tool-roadmap-through-2037-country-eyes-replacing-duv-with-euv-but-plans-appear-unrealistic  

Институт физики микроструктур Российской академии наук представил долгосрочную дорожную карту развития отечественных инструментов для литографии в экстремальном ультрафиолетовом (EUV) диапазоне, работающем на длине волны 11,2 нм, дополняя информацию, которой организация поделилась в декабре прошлого года. Новый проект рассчитан на период с 2026 года с использованием 40-нм технологии производства и до 2037 года с использованием суб-10-нм технологических процессов. Новая дорожная карта выглядит более реалистичной, чем некоторые предыдущие, но её ещё предстоит доказать на реализуемость. 

Первое, что бросается в глаза, — это то, что предлагаемые EUV*-системы не копируют архитектуру инструментов ASML. Вместо этого планируется использовать совершенно иной набор технологий: гибридные твердотельные лазеры, источники света на основе ксеноновой плазмы и зеркала из рутения и бериллия (Ru/Be), отражающие свет с длиной волны 11,2 нм. Использование ксенона вместо капель олова в EUV-инструментах ASML исключает образование частиц, повреждающих фотошаблоны, что значительно упрощает обслуживание. Более низкая сложность, по сравнению с DUV-инструментами ASML, позволяет избежать использования иммерсионных жидкостей под высоким давлением и многошаговой обработки для сложных узлов.

Дорожная карта включает три основных этапа.

Первая система, запуск которой запланирован на 2026–2028 годы, представляет собой литографическую машину с технологией 40 нм, двухзеркальным объективом, точностью наложения 10 нм, полем экспонирования до 3 × 3 мм и производительностью более пяти пластин в час.

На втором этапе (2029–2032 годы) будет представлен сканер с технологией 28 нм (с возможностью увеличения до 14 нм) и четырёхзеркальной оптической системой. Он обеспечивает точность наложения 5 нм, поле экспонирования 26 × 0,5 мм и производительность более 50 пластин в час.

Заключительная система (2033–2036 годы) ориентирована на производство с точностью менее 10 нм с шестизеркальной конфигурацией, выравниванием наложения 2 нм и размером поля до 26 × 2 мм. Она рассчитана на производительность более 100 пластин в час. Что касается разрешения, ожидается, что эти инструменты будут поддерживать диапазон от 65 до 9 нм, что соответствует требованиям многих критически важных слоёв сегодняшнего и будущего в 2025–2027 годах. Каждое поколение повышает оптическую точность и эффективность сканирования, предположительно сохраняя при этом значительно более низкую себестоимость единицы продукции по сравнению с платформами Twinscan NXE и EXE от ASML.

Примечательно, что разработчики заявляют о нескольких неожиданных преимуществах использования EUV для конечных узлов.

Однако они ни словом не упоминают о сложностях, возникающих при использовании лазера с длиной волны 11,2 нм (разные зеркала, разные инструменты для полировки зеркал, разная оптика, разные источники света, разные блоки питания, резист — и это лишь некоторые из них), которая не является отраслевым стандартом для EUV-литографии.

Крупнее

В целом, эта дорожная карта может описывать план России по достижению самодостаточности в производстве микросхем путем обхода традиционных ограничений EUV. Однако неясно, насколько этот план осуществим, поскольку он обойдёт всю отрасль, что ещё предстоит доказать.

Вместо того, чтобы ориентироваться на максимальную производительность для гипермасштабных фабрик, эти инструменты нацелены на экономически эффективное внедрение небольшими "литейными" (маш перевод) заводами. Предлагая чистую, эффективную и масштабируемую систему литографии, не требующую иммерсионной или оловянной плазмы, российская платформа может также привлечь международных заказчиков, которые в настоящее время исключены из экосистемы ASML. В случае полной реализации проект может обеспечить передовое производство микросхем как для внутреннего рынка, так и для экспорта при значительно более низких капитальных и эксплуатационных затратах.

---------

P.S.

Можно подумать над тем, чтобы твиттор у нас разбанить - там сильно лучше стало последнее время с фильтрацией всякой шняги. Прсто с Муском надо кое-кому договориться, чтобы локализацию сделал, как это с картами и прочим уже сейчас делается (т.е. в соответствующем административном контуре показывается, что собственно для его населения считается администрацией правильно).

Тут уже делал сводку по Вопросу ( here, azurmaps и чпр) ... но вот как механика у гуглоидов реализована - https://oliverwipfli.ch/localization-in-google-maps-2024-05-19/ .

Если можно с географическими картами так, то почему нельзя с когнитивными...  

Russia outlines EUV litho chipmaking tool roadmap through 2037 — country eyes replacing DUV with EUV

Because why not?