Aftershock

Вход на сайт

Облако тегов

АШ-YouTube

Российская Ангстрем-Т готова выпускать силовые транзисторы Trench MOSFET

Аватар пользователя sevik68

Очевидный курс массового автотранспорта на электромобили, солнечная энергетика и общее развитие электроники в сторону мобильности открыто намекают на важность развития силовой полупроводниковой электроники. В перспективе отрасль будет переходить на новые материалы из разряда широкозонных полупроводников: соединения нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) и некоторых других материалов. Но это потребует времени и дополнительных ресурсов, тогда как улучшить характеристики силовых транзисторов MOSFET можно с помощью более доступных технологий, например, освоив выпуск так называемых «траншейных» MOSFET (Trench MOSFET).

Так, компания АО «Ангстрем-Т» разослала пресс-релиз, в котором сообщила, что её полупроводниковый завод освоил технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET, и она в данный момент является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.

От обычных планарных MOSFET (см. на картинке выше) технология производства и структура Trench MOSFET отличается тем (см. картинку ниже), что для изготовления затвора создаётся канавка и он создаётся в углублении. Грубо говоря, это FinFET наоборот. За счёт увеличения площади затвора управляющее поле охватывает большую площадь. При этом структуры можно расположить более плотно, а сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии не изменяется и даже может быть меньше, чем у планарного MOSFET. Это позволяет значительно улучшить характеристики транзисторов MOSFET, в частности, его эффективность, что крайне важно для блоков питания с использованием аккумуляторов. Масса и габариты транзисторов тоже становятся меньше.

У транзисторов Trench MOSFET есть свои минусы. Но это относится к проектированию схем с использованием Trench MOSFET. При разработке электронных цепей следует учитывать, что Trench MOSFET подвержены ложному срабатыванию из-за появления в их структуре паразитных цепей в виде биполярного транзистора и внутреннего диода. Но всё это решаемо и относится к азам проектирования. В целом мировой рынок MOSFET-транзисторов оценивается в $6 млрд в год, так что компании Ангстрем-Т на нём гарантированно найдётся своё место.

Авторство: 
Копия чужих материалов
Фонд поддержки авторов AfterShock

Комментарии

Аватар пользователя Postulat
Аватар пользователя Jurij.
Jurij.(2 года 6 месяцев)(21:09:49 / 27-01-2019)

Это хорошо , что мы где то первые

Комментарий администрации:  
*** США не парятся по поводу будущего. Видно, у них есть план (с) ***
Аватар пользователя Дмитрий.
Дмитрий.(1 год 12 месяцев)(21:20:13 / 27-01-2019)

Впервые в современной России, а не в мире или в СССР

А так я еще на практике в ОКБ, курсе на 3, делал подобное

Аватар пользователя Jurij.
Jurij.(2 года 6 месяцев)(21:21:48 / 27-01-2019)

То есто сами делали. Это как 

Комментарий администрации:  
*** США не парятся по поводу будущего. Видно, у них есть план (с) ***
Аватар пользователя Дмитрий.
Дмитрий.(1 год 12 месяцев)(22:36:41 / 27-01-2019)

Сам процесс не сложен: подложка, рост одного слоя, маска, травление, рост следующего слоя, и т.д., напыление контактных пластин (вообще этим из ПТУ девочки занимались и справлялись). Колоть сложно, они собаки раскалываются по канавке этой. а не как положено, поэтому забросили, да и нужды не было, а потом демократия пришла, и сказала что электронная промышленность больше Родине не нужна. 

А так,  вообще для автомобильной техники не стоит проблема сделать мелкий элемент ,крупный лучше - проще отвод тепла - дольше срок. Сейчас таблицы не помню, но один день отжиг на 100 градусах пара лет при расчетной температуре - проверка на отказ, когда проводилась

Тут на ресурсе была статья вчера или позавчера, что подписали контракт на поставку полупроводниковой электроники для машин в Китай. И там представитель завода писал, что мол мы обираемся переходить на 65 нанометров - потому что это круто, хотя на текущем этапе потребителям и 250 нанометров за глаза.

 

Аватар пользователя Jurij.
Jurij.(2 года 6 месяцев)(11:11:14 / 28-01-2019)

Понятно. Конечно нужны элементы. Я дальше траления не шел. Делал свои усилители и программируемые платы. 

Комментарий администрации:  
*** США не парятся по поводу будущего. Видно, у них есть план (с) ***
Аватар пользователя dil62
dil62(3 года 7 месяцев)(21:38:47 / 27-01-2019)

Силовые полевики это хорошо. Возможно даже нужнее процессоров. Если ещё реально начнут массовый выпуск, то вообще отлично.

Аватар пользователя Lokki
Lokki(5 лет 6 месяцев)(21:47:38 / 27-01-2019)

Пф...

Изотопосмещённый нейтринолегированный кремний.

А транзисторы уже опять ваккумные, с зазором меньше длины свободного пробега.

Аватар пользователя юрчён
юрчён(7 лет 11 месяцев)(06:41:08 / 28-01-2019)

А зачем вам вакуумные транзисторы ? они для быстрых переключений непотребны от слова совсем, из за большого напряжения питания (12-15 вольт на вакуумный транзистор) хотите иметь слабенький компьютер потребляющий киловатты и имеющий отдельный мощный холодильник ? силового тоже на них категорически ничего не сделать.

Только узкоспециализированное применение.

Аватар пользователя Trikon
Trikon(8 лет 6 месяцев)(08:36:42 / 28-01-2019)

Если цена будет нормальная, то это здорово, если как всегда чуть чуть и очень за дорого, то это грустно.

Лидеры обсуждений

за 4 часаза суткиза неделю

Лидеры просмотров

за неделюза месяцза год