Неон, сапфировое стекло и сажа

Технический углерод с пластиком. Сажа - это жаргон и он не соответствует реальности. У сажи другая структура, а технический углерод - наноструктурный материал, в отличие от комковатой сажи

Ну так отвечайте, а не поучайте.

На самом деле, спасибо ТС за вопросы. Их оказалось меньше, чем мудрецов, готовых тут на них ответить, причём по существу.

Лишнее подтверждение того, что АШ ценен не статьями на нём, а комментариями к ним.

При производстве чипов он используется не в гелий-неоновых лазерах, а для консервации кремневых пластин на время перевозки между технологическими линиями и участками. Примерно также, как аргон в аргоновой сварке. Чтоб поверхность не окислялась воздухом.

И ниже отписались, что с помощью неона осуществляют перенос материала при эпитаксии.

Загрязнение идёт без реакций неона (там ещё фтора чутка) после пары суток работ эксимерного лазера.

Травят сухим способом, плазмой, похоже неон оченно подходящ для этого:

Отсюда инфа: https://www.quora.com/Why-is-neon-important-to-semiconductor-manufacturing

There are a few reasons why neon is important to semiconductor manufacturing. One reason is that neon can be used as a carrier gas in chemical vapor deposition (CVD) processes. CVD is a process that is used to deposit thin films of materials onto a substrate. Another reason why neon is important to semiconductor manufacturing is that it can be used to etch silicon wafers. Etching is the process of removing material from a surface. Finally, neon can also be used as an implantation gas in ion implantation processes. Ion implantation is a process that is used to modify the properties of materials by implanting ions into them.

Вообще, гугле в помощь.

Инфы - полно...

Как неон используется при травлении??

Разбавляют им среду из которой осаждается или травится кремний, обратите внимание, что реакция двунаправленная:

Кремний чаще всего осаждается путем легирования четыреххлористым кремнием и водородом при температуре приблизительно от 1200 до 1250 °C:

SiCl 4(g) + 2H 2(g) ↔ Si(s) + 4HCl (g)
где (g) и (s) представляют газовую и твердую фазы соответственно. Эта реакция обратима, и скорость роста сильно зависит от соотношения двух исходных газов. Скорость роста выше 2 микрометров в минуту приводит к образованию поликристаллического кремния, а отрицательные скорости роста (травление) могут возникать, если присутствует слишком много побочного продукта хлорида водорода. (Фактически, хлористый водород может быть добавлен намеренно, чтобы вытравить пластину.) Дополнительная реакция травления конкурирует с реакцией осаждения:

SiCl4(g) + Si(s) ↔ 2SiCl2(g)

Разбавляя неоном добиваются нужной скорости осаждения или травления.

Газовая смесь неона обычно используется в качестве источника света в эксимерных лазерах ArF и KrF для литографии. Химикат C4F6 используется на этапе травления. Поскольку полупроводниковый производственный процесс для трехмерных структур требует значительного количества этапов травления, нехватка C4F6 окажет большее влияние на производство 3D NAND, чем на производство литейной логики.

Для травления используется Гексафторбутадиен.

А соединения фтора - это отходы атомной обогатительной промышленности. и у нас этого добра " как гуталина на гуталиновой фабрике"

http://www.biometrica.tomsk.ru/lib/books/leonov_1.pdf  стр.236

Сущность ионно-плазменного процесса очистки поверхности подложек заключается во взаимодействии с поверхностью подложки предварительно ускоренного потока ионов инертного газа. Создание ионов инертного газа достигается с помощью тлеющего разряда в камере пониженного давления, в которой размещена система анод – катод, находящаяся под высоким напряжением. При этом на подложку относительно плазмы подаётся отрицательное напряжение порядка 2–3 кВ. В результате наличия этого поля положительно заряженные ионы инертного газа ускоряются и бомбардируют поверхность подложки. При их соударении с поверхностью атомы загрязняющего слоя распыляются и переносятся в объём газа. Достоинством этого метода является управление рельефом травления, что особенно важно при его использовании для локального травления структур через защитные маски изолятора [11, 15].

не вижу противоречий. Не готов копать все данные, но, по левым сайтам Россия на 4 месте в списе экспортеров. по выплавке на третьем.

Я исходил из того, что производство люменя `слегка` энергоемкий процесс. А у нас электричество ну вот копейки стоит. по сравнению с остальными странами. Спасибо ГЭС и АЭС,которые еще при Союзе строили.

И даже один намек, что больше поставлять не будем, взвинтит мировые цены в потолок. Как на газ в Европе. А люмень нужен всем. И вряд-ли на него есть долгосрочные контракты.

И это уже приколы второго уровня. Чисто от скуки. Потому что первична энергия/жратва , где Россия экспортер. на хамонах/пармезанах машины не ездят (да на них плевать,велосипеды есть), а вот когда пол промышленного производства у европе и штатах станет колом и раком, ибо не рентабельно. и безработица, и соцпакеты обнулятся. вот тогда и поржем.

Тут главное все патроны с ракетами на хохлов не потратить. Еще пригодятся.

Таки да. нам оно не надо Но, тут недавно пролетала статья, что у европы от него зависимость. в основном от энергетических марок . И это вполне себе краник. Перекрыть один - выживут. Два - начнут сосать и плакать. Все Четыре крана - им хана. не за 3 месяца, тут я не согласен с Авантюристом. Годик протянут.

ВотЬ одно не понятно. обьявлена открытая экономическая война. на уничтожение. Один раз ее уже проиграли. сейчас есть все рычаги и страна-бензоколонка внезапно может диктовать свои условия. так какого-ж хрена с 1992 года мы играем с шулером и еще и краплеными картами. И с парой гопников за спиной. И правила игры меняются на ходу.

Сейчас гопники наши, карты наши. А опять жевание соплей.

На АШ также разбирали некомпетентность ЦБ РФ. Разбирали некомпетентность Газпрома. Сейчас регулярно разбирают полную некомпетентность и профнепригодность генштаба ВС РФ. Уровень компетентности АШ по всему спектру обсуждаемых вопросам просто зашкаливает.