Источник - CNews тоже на стр в VK
Исследователи МФТИ разработали основу для энергонезависимой памяти нового типа, обладающей скоростью оперативной памяти. Размер элемента ~10 нм.
Собственно статья.
Скорость ОЗУ и энергонезависимость
Исследователи Московского физико-технического института (МФТИ) при участии коллег из Университета Небраски-Линкольна в США и Федеральной политехнической школы Лозанны во Франции разработали основу для энергонезависимой памяти нового типа, обладающей скоростью оперативной памяти и способной сохранять данные в отсутствии электропитания, рассказали CNews представители МФТИ.
«Человечество постоянно увеличивает объем хранимой и обрабатываемой информации, который, по статистике, удваивается каждые 1,5 года. Для ее хранения требуется все больше компьютерной памяти, прежде всего энергонезависимой, то есть такой, которая хранит информацию при отключении электропитания. Ученые по всему пытаются создать более быстрые и миниатюрные запоминающие устройства. Идеалом была бы «универсальная» память, которая обладает быстротой оперативной памяти, объемом данных жесткого диска и знергонезависимостью флешки», — заявили в МФТИ.
Сегнетоэлектрики в качестве основы
Исследователи изучают различные способы создания такой памяти. Один из вариантов заключается в применении в качестве ее основы сегнетоэлектрика — вещества, обладающего спонтанной электрической поляризацией, которая может быть обращена приложением электрического поля.
Пленка оксида гафния, выращенная на кремниевой подложке
Одним из перспективных сегнетоэлектроков является оксид гафния. До сих пор он использовался для хранения информации в различных приборах, для которых не было каких-либо ограничений по габаритам. К тому же, для изготовления таких ячеек памяти использовались производственные технологии, отличные от производства миниатюрных чипов.
Ячейка памяти на базе современных технологий
Заслуга исследователей МФТИ и их иностранных коллег состоит в том, что им удалось вырастить сверхтонкую пленку оксида гафния (толщиной 2,5 нм) на кремниевой подложке, сохранив при этом его сегнетоэлектрические свойства. Для роста пленки использовался метод атомно-слоевого осаждения, который популярен в производстве современных микропроцессоров. Метод хорош еще и тем, что позволяет растить функциональные слои в трехмерных структурах, отметили исследователи.
«Поскольку структуры из этого материала совместимы с кремниевой технологией, можно рассчитывать, что в ближайшем будущем непосредственно на кремнии могут быть созданы новые устройства энергонезависимой памяти с использованием сегнетоэлектрических поликристаллических слоев оксида гафния», — пояснил CNews ведущий автор исследования, заведующий лаборатории функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрей Зенкевич.
Перспектива применения
Более того, ячейки памяти на основе сегнетоэлектрика в теории способны демонстрировать свойства мемристора — резистора с переменным сопротивлением, задаваемым величиной протекающего через него электрического тока. Мемристорные свойства являются необходимым условием для создания электронных синапсов, которые могут быть использованы в разрабатываемых сейчас нейроморфных системах с принципиальной иной архитектурой вычислений, воспроизводящей принципы работы человеческого мозга, подчеркнули в МФТИ.
Подробнее: http://www.cnews.ru/news/top/2016-04-08_rossijskie_fiziki_priblizili_kompyuternuyu_pamyat
Комментарии
По сути, достигнут физический предел плотности информации. Есть еще и вариант трехмерный. Дело уже в отехнологичивании. Когда дождемся коммерческих экземпляров?
Я так понимаю, что Вы один текст скопировали два раза, чтобы читатели с двух раз всё же поняли смысл данной статьи.
Исправил. Непонятный глюк.
Ну, до предела здесь ещё далеко.. Я бы даже сказал, бесконечно далеко.. Что можно считать пределом? Ну, вот, например.. У нас есть массив элементарных частиц, например, электронов.. Договоримся, что спин вверх это будет двоичная единица, а спин вниз - двоичный ноль. Таким образом, на одном грамме вещества мы можем записать.. записать.. э-э, да, в общем-то, всю имеющуюся у нас информацию, начиная с библейских времён..)
А может туда уже кем-то что-то записано...
Верно.. Записано.. Вот, как на флэшку записано.. А потом мы вставляем флэху в комп и видим на дисплэе.. земляничные поляны и облака на небе.. А в основе всё та же информация, записанная в двоичном коде..)
Земляничные поляны? Для этого комп не нужен. Правда-правда. Спросите у хиппи.
Ага.. Ну да.. А, может, вы знаете, почему, когда его насыпешь на чайную ложечку, а потом нагреешь на зажигалке, он превращается в жидкость, а?)
На мой взгляд даже на уровне идеи повторяются одни и те же ошибки, ведь давно известно, живой (белковый) мир записан в четверичной системе, а с элементарными частицами существует проблема, пока непонятно как их выстраивать в цепь, кроме физического закрепления в носителе, а носитель как раз и есть самое большое ограничение. Большая часть носителя выполняет роль опоры для информационно полезной части и КПД получается ничтожный.
Похоже на очередные поделки британских ученых. Из отдельных атомов или одноатомных пленок можно делать только лабораторные игрушки. Налепить все это на пластину 300 мм без дефектов невозможно - противоречит законам физики.
А ещё земля держится на трех слонах, а ракетой можно пробить дырку в небосводе и боженька разгневается.
Что сказать-то хотел?
Привел аналог вашего скептицизма по уровню обоснованности.
Обоснование тоже самое что и для поделок на графене например. Вероятность дефекта вроде в 4-й степени от размера зависит.
Когда-то и синие светодиоды, и жк-матрицы на 8 мегапикселей были недостижимы для производства из-за требований к чистоте материалов и наноразмернойточности, примеров таких технологий сотни. Пока что ваша аргументация "против" выглядит именно к "этого не может быть потому что не может быть никогда".
Если нужная чистота материала или безошибочность изготовления не могут быть достигнуты сегодня, это еще не значит, что они не будут достигнуты в будущем.