В России создали первую в стране установку для плазмохимического осаждения на кремниевых пластинах диаметром 300 мм. Это один из ключевых процессов при производстве микросхем. Разработка укрепляет технологический суверенитет страны и открывает возможности для высокотехнологичного экспорта, рассказали специалисты. Оборудование основано на модульном принципе, что дает возможность гибко адаптировать его под конкретные производства. Опытный образец находится на этапе заключительных доработок, летом пройдут тестовые испытания, после чего планируют запустить серийное производство.
Почему выгодны кремниевые пластины диаметром 300 мм
В России создали первую в стране кластерную установку для плазмохимического осаждения (ПХО) на кремниевых пластинах диаметром 300 мм. Прежде для выполнения этой операции использовали импортное оборудование, а отечественные машины, в большинстве своем, были рассчитаны на технологические процессы, ориентированные на 200-миллиметровые кремниевые подложки. Новое оборудование разработали в Научно-исследовательском институте точного машиностроения (НИИТМ, входит в Группу компаний «Элемент»).
Как сообщили специалисты, пластины диаметром 300 мм — это стандарт, по которому в настоящее время производят более 90% микросхем в мире. Такой размер позволяет значительно увеличить количество чипов, производимых на одной подложке. Благодаря этому снижается их стоимость для потребителя.
— Новый комплекс предназначен для обработки кремниевых пластин диаметром 300 мм с возможностью изменения конфигурации для работы с пластинами 200 мм. Это дает возможность тестировать работу установки на производствах с учетом действующих 200-миллиметровых технологических процессов и обеспечить своевременную подготовку к переходу на работу на 300-миллиметровых пластинах, — рассказал «Известиям» начальник отдела перспективных разработок НИИТМ Георгий Ерицян.
По его словам, одно из ключевых достижений специалистов заключается в том, что в короткое время удалось локализовать производство значительного количества составных частей оборудования. Вместе с тем базовые технологические процессы, созданные в рамках проекта, не уступают импортным аналогам.
До недавнего времени машины такого типа закупались за рубежом, отметил Георгий Ерицян. Однако линейки отечественных промышленных установок, адаптированных под 300-миллиметровый формат, позволят укрепить технологический суверенитет страны и ее позиции на мировом рынке. В частности, Россия для многих стран, заинтересованных в развитии микроэлектроники, может стать альтернативным поставщиком оборудования для ее производства.
Создание нового комплекса началось в конце 2021 года. В процессе разработки ученые-инженеры изготовили опытный образец кластерной структуры, который состоит из четырех различных технологических модулей, объединенных общей роботизированной транспортной системой для перемещения пластин, сообщил специалист.
Как происходит плазмохимическое осаждение
Георгий Ерицян добавил, что комплектование кластеров из отдельных модулей позволяет гибко конфигурировать оборудование в зависимости от потребностей и мощности производств. Это наиболее предпочтительно для современных фабрик. Причем разработанные в НИИТМ система управления и программное обеспечение также дают возможность адаптировать технику под конкретного потребителя.
Как объяснил ученый, ПХО — это один из базовых процессов при производстве микросхем. В результате на поверхности обрабатываемой пластины формируется диэлектрический слой, который выполняет функцию изолятора между разными частями чипа.
— Для проведения осаждения пластины помещают в реактор. Туда же подается газ, который под действием высокочастотного разряда превращается в плазму. В результате происходит химическая реакция, и на поверхности пластины образуется тонкая пленка. Данный метод позволяет создавать качественные покрытия с высокой точностью, — пояснил Георгий Ерицян.
Он подчеркнул, что разработанные и апробированные в рамках проекта технологии применимы как для существующих проектных норм, так и для перспективных — вплоть до интегральных схем с топологией 28 нанометров.
Сейчас опытный образец кластерного комплекса находится на этапе заключительных доработок и к лету пройдет тестовые испытания. Их проведут на площадке НИИ молекулярной электроники.
— Создание российской установки ПХО — хорошая для отрасли новость, поскольку это очередной шаг вперед в реальном импортозамещении. Речь идет о еще одном краеугольном камне в фундаменте полного цикла производства микроэлектроники в нашей стране. Стоит отметь, что в скором времени дело может дойти и до конкуренции между отечественными поставщиками, поскольку в НИИ молекулярной электроники также занимаются разработкой кластера плазмохимического осаждения под техпроцессы 90–65 нанометров, — рассказал «Известиям» независимый аналитик Алексей Бойко.
Вместе с тем он отметил, что установка ПХО — лишь одна из нескольких (их более десятка) различных станков, которые задействованы в процессе работы с пластинами. Наряду, например, с фотолитографами, установками плазмохимического травления, эпитаксии. Поэтому, чтобы производить полупроводники и говорить об импортозамещении в этой области, нужно наладить выпуск в России всех необходимых станков. Учитывая близость технологий плазмохимического осаждения и травления, можно ожидать, что НИИТМ вскоре предложит оборудование и для этого процесса.
— Внедрение оборудования для работы с 300-миллиметровыми кремниевыми пластинами крайне важно для развития отечественной электронной промышленности. Такое оборудование производит ограниченное количество компаний в мире, и его изготовление внутри страны позволяет снизить зависимость от других государств, — прокомментировал главный редактор портала IT-World и журнала IT Expert Андрей Виноградов.
Он пояснил, что пластины диаметром 300 мм — это современный уровень в производстве электронных компонентов. Чем больше площадь пластины, тем больше можно получить чипов с каждой кремниевой «вафли». Процесс производства чипов включает множество этапов, без каждого из которых невозможно получить готовый продукт. Однако, несмотря на высокие затраты на подобную технику, России, безусловно, необходимо развивать собственное производство.
Комментарии
Хорошая новость. Ещё одна
Я надеюсь по доброй традиции сейчас набегут говноплюи и объяснят недалекому ТС, что все говно, в России ничего хорошего быть не может и нас оять обманывают. Ну и что образование и ЖКХ ПОЛНОСТЬЮ РАЗРУШЕНЫ !!!!!!!
Это действительно гавно середины прошлого века
(https://dzen.ru/a/YFuUMjvR_T9m43vG)
На этих технологиях не делают привычных нам интегральных полупроводниковых ЧИПов.
На этих технологиях делали так называемые сборки, - на подложке путем напыления формировали пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности) а потом туда приваривали кристаллы транзисторов и диодов.
Формирование на подложке в едином технологическом цикле ключей, транзисторов, диодов было в принципе невозможно. Их делали отдельно, и проволочками приваривали к тонко плёночной подложке.
Сейчас так не делают ничего кроме черезвычайно специализированных устройств. Вероятно (но это не точно!) технологии можно применить как эрзац для производства каких-либо фазовых антенных решёток, или каких-либо болометрических матриц невысокого разрешения ...
Так что новость откровенно из серии "аналоговнет"
А несоответствие заголовка и содержания и введением читателей в заблуждение тянет на помещение новости в разделе "Ахтунг"
"дядя homo! ты дурак?" (с)
"Химическое осаждение из паровой фазы с усилением плазмы - это универсальная технология осаждения, которая обеспечивает точный контроль над процессом осаждения, позволяя получать тонкие пленки с заданными свойствами. Эта технология находит широкое применение в различных отраслях промышленности, включая, но не ограничиваясь ими:
- Производство полупроводников: широко используется при изготовлении полупроводниковых приборов, являясь КЛЮЧЕВЫМ методом осаждения диэлектриков затвора, пассивирующих слоев и межсоединений.
- Производство солнечных элементов ...
- Оптические покрытия ...
- Биомедицинские устройства ...
- ..."
Всё верно. Осаждение на подложке плёнок, проводящих или диэлектрических. Создание пассивных элементов- конденсаторов, резисторов, индуктивностей. Технология середины прошлого века.
Что не так то, возбуждённый вы наш?
А теперь homo нам всем раскажет где у "конденсаторов, резисторов, индуктивностей" имеется ЗАТВОР (Gate).


Homo! Не тупи!
Мудачок.
Затвор представляет собой конденсатор наложенный на область канала.
Технологий его получения, - вагон и маленькая тележка.
В древности его так и делали, - в одном техпроцессе получали заготовки транзисторов, - в другом напыляли на эти заготовки по сути реальные плёночные конденсаторы.
Впрочем ты все равно в этом не разбираешься, зачем тебе эти вопросы?
Офигеть!


Во всём мире, разными ухищрениями, борются с паразитными емкостями затвора, и лишь, в понимании homo, эти паразитные ёмкости делают специально: "в другом напыляли на эти заготовки по сути реальные плёночные конденсаторы".
Homo! Ты застрял в 90-х - сколь-нибудь массовая технология гибридных интегральных схем (ГИС) закончилась в середине 90-х.
Да. И сейчас кое-что производится по этой технологии. Но это специализированные применения.
Сравни:
- Глобальный размер рынка гибридных интегрированных цепей был оценен в 2,69 млрд долларов США в 2023 году и, по прогнозам, достигнут4,15 миллиарда долларов США к 2030 году
- Размер мирового рынка интегральных схем оценивался в 562,53 млрд. долларов США в 2022 году, и ожидается, что к 2032 году он достигнет примерно 1 921,42 млрд. долларов США
Т.е. ГИС это не более 0.5% от всех мировых продаж, с продолжающимся уменьшением этой доли.
Даже магнитную плёнку на кассетах карандашами больше не мотают, видать карандашей нужных нет, а тут, кристаллы...
Мягкие осадки только в заголовке. К чему и почему?
Soft Drop.
А мы 300мм пластины делать умеем? Вроде же не более 200мм
Очень хорошо!
Так сколько килограмм чипов стали производить на новой установке???
Нисколько. Чип, это название для полупроводниковой микросхемы.
А на этой установке делают только подложки с пассивными элементами.
Как??? Меня снова на АШ обманули???
Статья называется - /// В РОССИИ СОЗДАЛИ НОВУЮ УСТАНОВКУ ДЛЯ
> ПРОИЗВОДСТВА ЧИПОВ///
Новую установку, и из неё должны выходить готовые ЧИПы!
Тут важно точно знать достигнутые параметры. Неравномерность осаждения один из наиболее критичных параметров определяющих эффективность микроэлектроники. Особенно блоков памяти, где ячейки должны получаться как можно более однородными для высокого быстродействия.
По этой технологии не делают память или процессоры.
Это технология для создания на подложке достаточно крупных (по процессорным меркам) пассивных элементов, - резисторов, конденсаторов индуктивностей.
Неуч! Читать научись: "...разработанные и апробированные в рамках проекта технологии применимы как для существующих проектных норм, так и для перспективных — вплоть до интегральных схем с топологией 28 нанометров..."